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BUK763R1-60E,118  与  IPB037N06N3 G  区别

型号 BUK763R1-60E,118 IPB037N06N3 G
唯样编号 A-BUK763R1-60E,118 A-IPB037N06N3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 293W 188W
宽度 - 9.25mm
上升时间 - 70ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Qg-栅极电荷 - 98nC
输出电容 851pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 61S
典型关闭延迟时间 - 40ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 TO-263-3
工作温度 175°C -55°C~175°C
连续漏极电流Id 120A 90A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
输入电容 6685pF -
长度 - 10mm
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 30ns
导通电阻Rds(On) 3.1mΩ@10V 3.7mΩ@90A,10V
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK763R1-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 3.1mΩ@10V 293W 175°C 3V 60V 120A

暂无价格 0 当前型号
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V

¥4.1405 

阶梯数 价格
20: ¥4.1405
100: ¥3.3124
314 对比
IRFS7537TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@100A,10V N-Channel 60V 173A D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 0 对比
IPB029N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

60V 120A 2.3mΩ 20V 188W N-Channel -55°C~175°C PG-TO263-3

暂无价格 0 对比
IPB037N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

60V 90A 3.7mΩ@90A,10V ±20V 188W N-Channel -55°C~175°C TO-263-3

暂无价格 0 对比
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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